提升在性能以外？四代Core i新特性前瞻

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四代Core i即将来临，以目前曝光的测试成绩来看，这一代产品的CPU性能提升不算很大，难道Intel因为AMD势衰而全面放松了？其实，四代Core i的提升，更多在性能以外，我们今天就集中说说它的新特性，以及从中透露出的Intel未来的大方向。

提升在性能以外？四代Core i新特性前瞻

●新特性1：整合VR

CPU内部整合VR

　　四代Core i，或称Haswell，制程工艺和IVB一样，都是22nm，两者最大的不同在于Haswell整合了VR，也就是说以往主板的供电模块。Intel这种整合VR采用PowerCell架构设计，性能超越传统设计，简化了主板的供电设计，并优化了供电的可控性、稳定性和能效，为节能控制和超频提供了更大的提升空间。
●新特性2：高性能核显和嵌入式内存

新型核显

　　在SNB和IVB上核显都分为GT1和GT2两种，SNB是核显2000和核显3000，IVB是核显2500和核显4000. Haswell核显一共分为4种，GT1、GT2、GT3和GT3e，其中GT3又按功耗分两种，其中高功耗的GT3和GT3e又名“锐炬”。
　　新核显OpenCL支持明显改进，并且最高性能据称可以达到GT640水平，为了强化核显性能，Intel又在GT3e上采用了嵌入式内存，为此甚至不惜以提升TDP为代价。