蓝色巨人的逆袭--IBM发布新型高集成非易失性内存.

amblin

IBM正式发布基于“自旋电子学”理论（ spintronic phenomenaa）的新型非易失性内存， 名为“racetrack memory" 。

其基本原理为， 通过向纳米级磁性材料的阵列中施加电流脉冲， 使分割内存位的磁壁产生的移动现象。 从而通过改变脉冲频率， 可实现特定位的随机访问。  在访问特定位的同时便可执行数据的读写。 在速度方面，理论上可以达到当前DRAM的级别， 但由于资料是存储在像赛车跑道一样排列的纳米级磁道中（Bit column)， 所以即使断电也不会导致数据消失。 与此同时，在读写的过程中并没有原子转移，因此也从根本上杜绝了存储区磨损，老化的发生。




IBM旗下的著名科学家Sturat Parkin（高密度硬盘之父）声称，目前IBM研发团队已试制出包含“多个”磁壁的磁性材料， 并证实了通过利用磁壁移动对目标内存位进行选择性读写操作的可行性。 若最终能够达到实用，理论上将可以在（比SSD）相对低的成本基础上实现容量的飞跃，并且“整合当今种种存贮/记忆方式最好的技术品质于一身”。


高科技阿。。高科技。。

[ 本帖最后由 amblin 于 2009-4-23 00:35 编辑 ]