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标题: 美光发布20nm闪存的M500DC SSD：速度提升，数据寿命下降 [打印本页]

作者: 巴郡甘兴霸 时间: 2014-4-23 19:42:09 标题: 美光发布20nm闪存的M500DC SSD：速度提升，数据寿命下降

转自：http://www.pcwaishe.cn/article-7054-1.html

　　外设天下讯　4月23日消息，美光的20nm闪存固态硬盘中已经发布了M500、M550两代产品了，不过这两个系列都是消费级的，美光企业级硬盘此前还是25nm甚至34nm工艺的，对升级20nm闪存很慎重。如今美光终于推出了面向企业级SSD的M500DC系列SSD，使用的是Marvell 9187主控，NAND升级到了20nm MLC，读写性能倒是提升了，但是数据写入寿命下降了很多。

　　美光M500DC的命名显示它跟之前的M500有很大的关系，多出的DC应该是指Data Center数据中心之意，二者都使用了Marvell 88SS9187主控以及美光的20nm MLC闪存，之前使用的多是25nm、34nm的MLC甚至SLC闪存。

　　Anandtech网站将美光近年来的企业级SSD做了简单的统计，列出的企业级SSD是5个型号，再算上没有列出的P300、P410m、P322h这三款，美光目前的企业级SSD总计有8款之多，而消费级只有2款。

　　美光的M500DC系列SSD容量有120GB、240GB、480GB及800GB四种，比之前的P400m的100/200/400GB容量更大，还多了800GB选择，读取速度也从之前的380MB/s提高到了425MB/s，写入速度也从之前200、310MB/s的水平提高到了200、330、375MB/s，4K随机读取性能从52K、54K、60K提升到了63K/65K，4K随机写入性能从21K、26K的水平提高到了23K、33K、35K、24K（800GB的还有所下降了）的水平。

　　不好的一面就是因为使用20nm MLC闪存，M500DC系列的数据写入寿命下降了，P400M的100、200、400GB型号的数据写入寿命分别是1.75、3.5、7.0PB，而M500DC的120、240、480GB以及数据写入寿命分别是0.5、1.0、1.9、1.9PB，下降的还是非常明显的。

　　M500DC使用的主控跟M500是一样的，NAND也是128Gbit核心的，P/E次数都是3000次，MLC在企业级SSD也很常见，不过为了提升可靠性，厂商通常使用eMLC（Enterprise MLC），M500DC上美光使用的是则是消费级MLC（consumer-grade MLC，cMLC）。

480GB型号有6颗闪存，真实容量是768GiB

　　cMLC显然会更便宜，但是为了提高可靠性，美光还得做好基础工作。以M500DC的480GB为例，它总计有6片显存，真实容量是768GiB，远高于标称的480GB容量，换句话说只有58%的总容量是给客户使用的，剩余的一大部分空间都视作OP空间当备胎。

M500DC系列SSD的RAIN比例

　　美光之所以这么“浪费”，就是通过提升RAIN（独立NAND冗余阵列）空间来保证SSD拥有更多的OP空间，详细介绍可以参考之前的文章。从Anandtech给出的表格来看，120、240、480GB型号拿出了三分之一的容量做OP空间，800GB比例略少，21%的容量做了OP空间，而之前的M500、M550上OP空间所占的比例不过6%左右。

性能测试

　　由于主打企业级市场，Anandtech的M500DC的性能测试也没有太多内容，主要是阐述M500DC提升可靠性的技术。连续、随机性能测试中对比了Intel的DC3500系列，简单看下吧。

4K随机读取速度测试

4K随机写入速度性能测试

128KB连续读取速度测试

128KB连续写入速度测试

4K读取、写入混合测试

作者: 巴郡甘兴霸 时间: 2014-4-23 19:42:28

数据写入寿命更重要

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